思开半导体产品推介 | SS018N08LS助力新能源储能市场

思开半导体 | 2023-06-19 09:49:56 阅读：77

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01 前言

在全球能源转型加速和双碳目标大背景下, 各国政府碳中和方案相继落地,新能源电力装机量快速提升，新能源储能的需求激增，储能行业迎来巨大的发展机遇和市场空间。

随着移动电子市场规模的不断扩大，便携式储能产品的需求也逐渐增加。同时受益于锂离子电池市场近年来的迅猛发展，随着便携式储能产品在技术上的迅猛发展，安全性能也逐渐提高，成为日常生活中不可缺少的产品之一。目前，全球便携式储能产品出货量、市场规模、产量、销量保持高速增长，中国成为全球便携式储能产品的主要产区。

图/中国储能系统集成商2022年度全球市场储能系统出货量排行榜

消费电子产品、电子整机等市场体量在近几年增长迅速，产业链对于 MOSFET 的需求也水涨船高。伴随大功率快充技术的普及，电源厂商对 MOS 器件的耐压、内阻等各维度性能也提出了更高的要求；而随着汽车电气化、5G商用化进程的深入推进，市场对于 MOSFET 的需求也朝着多元化方向发展。

02 思开半导体TOLL封装产品丰富

TOLL封装适用于中低压 MOS（耐压40V～150V，电流超过300A）、超结SJ-MOS 的封装，package 厚度 2.3mm，占板面积 115m㎡。相比 TO-263-6L，TOLL占板面积缩小30％，高度减小50％，节省了宝贵的PCB 应用空间，而且热阻更小从而散热效率更高，封装寄生电感更小，有助于降低生产成本和散热解决方案成本、提高功率密度。

03 思开半导体TOLL封装特点

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04 思开半导体SS018N08LS，新能源储能市场MOS管爆款“顶流明星”

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思开半导体的SS018N08LS已经成为新能源储能市场MOS管爆款“顶流明星”产品，月出货量可达到1KK以上。思开半导体的SS018N08LS是一款漏源击穿电压 85V 的N沟道 MOS，采用 TOLL 封装，VGS 耐压 ±20V，Vth 为3V，漏极电流最高 320A，VGS 为 10V时导通电阻 RDS(on)典型值为 1.3mΩ，适用于电池管理、轻型电动汽车、电动摩托车、电动叉车、同步整流等产品。

05 总结

思开半导体此次采用的 TOLL 封装，相比 TO-263-6L 封装不仅有着更小的体积和占板面积，而且具备低封装寄生和电感效应，以及出色的 EMI 表现和热性能；TOLL 封装拥有可焊侧翼，可以很好满足高安全性和高可靠性的大功率应用场景。
思开半导体 (Skysemi) 总部坐落于享有 “ 中国硅谷 ”之称的深圳市南山区高新科技园。专注于半导体元器件研发、生产及销售。并在重庆和上海设有研发中心。
公司现有产品系列: Trench MOS、SGT MOS 、超结 MOS 、IGBT 、SiC 、GaN 。公司产品广泛应用: BMS、新能源、电机控制、适配器快充、光伏逆变、UPS 、充电桩、移动快充、消费类电子、通讯电源等领域。

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